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MG200Q2YS60A
DUAL IGBTMOD?
COMPACT IGBT SERIES MODULE
200 AMPERES/1200 VOLTS
10 3
10 2
REVERSE RECOVERY TIME
(TYPICAL)
10 1
10 0
REVERSE RECOVERY LOSS VS.
FORWARD CURRENT
(TYPICAL)
10 5
10 4
CAPACITANCE VS.
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
(TYPICAL)
C IES
C OES
V CC = 600V
V GE = ±15V
R G = 10 ?
T J = 25°C
T J = 125°C
V CC = 600V
V GE = ±15V
R G = 10 ?
T J = 25°C
T J = 125°C
10 3
V GE = 0V
F = 1MHZ
T C = 25°C
C RES
10 1
0
50
100
150
200
10 -1
0
50
100
150
200
10 2
10 -2
10 -1
10 0
10 1
10 2
EMITTER CURRENT, I E , (AMPERES)
REVERSE BIAS
SAFE OPERATION AREA
(TYPICAL)
EMITTER CURRENT, I E , (AMPERES)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VS.
GATE CHARGE
(TYPICAL)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
GATE-EMITTER VOLTAGE VS.
GATE CHARGE
(TYPICAL)
10 3
1000
800
I C = 200A
R L = 3 ?
T J = 25C
20
16
I C = 200A
R L = 3 ?
T J = 25C
10 2
600
12
400V
600V
10 1
400
8
200V
V CE = 0V
10 0
0
V GE = ±15V
R G = 10 ?
T J ≤ 125°C
400
800
1200
1600
200
0
0
500
1000
1500
2000
4
0
0
500
1000
1500
2000
10 0
10 -1
10 -2
10 -3
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(IGBT)
T C = 25°C
SINGLE PULSE
STANDARD VALUE = R TH(J-C) Q = 0.062°C/W
10 0
10 -1
10 -2
10 -3
GATE CHARGE, Q G , (NC)
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(FWDI)
T C = 25°C
SINGLE PULSE
STANDARD VALUE = R TH(J-C) D = 0.136°C/W
GATE CHARGE, Q G , (NC)
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
6
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